Micron Technology (MU)¶
核心逻辑¶
全球第三大内存厂商，HBM 超级周期的核心受益者之一。短期有氦气危机催化，长期面临 HBM4 竞争劣势。
HBM 布局¶
- 新加坡建 70 亿美元先进封装工厂，专产 HBM，2027 投产
- CCO 明确: DRAM 涨价由 HBM 需求激增推动
- HBM 消耗晶圆是标准 DRAM 的 3 倍+
氦气危机催化 (2026-03)¶
- 美伊→霍尔木兹→卡塔尔氦气停供→全球 30% 氦气中断
- MU 独立供应链（美国 BLM 储备+国内生产），不受影响
- Samsung/SK Hynix 库存仅 4-8 周，面临停产风险
- MU 当周 +9.5%，市场 price in 供应替代
- 参见 sources/helium-semiconductor-20260314
竞争劣势¶
- ⚠️ Samsung/SK Hynix 拿下 NVIDIA Vera Rubin HBM4 独家供应，MU 被排除
- 短期供应替代利好 vs 长期 HBM4 竞争失位
DRAM 短缺升级 (2026-04-20)¶
- Nikkei Asia: 2027 年底三大厂商仅能满足全球 ~60% DRAM 需求
- SK 集团董事长: 短缺可能持续到 2030 年
- 需求年增长需 12% vs 厂商计划仅 7.5% → 缺口持续扩大
- 新增产能优先 HBM → 通用 DRAM 被进一步挤压
- MU 受益: DRAM 涨价周期延长 + 美国本土供应链优势
Alpha 判断¶
- 看多（短中期）: HBM 超级周期 + 氦气催化 + DRAM 涨价周期延长至 2030
- 谨慎（长期）: HBM4 代被排除，竞争格局不利
- Forward PE: 7.8x（估值极低，已在 ClawTrading watchlist）